103岁爷爷回应身体依旧健康硬朗

罗姆完成第 5 代碳化硅（SiC）MOSFET 开发，高温导通电阻降低约 30%_蜘蛛资讯网

声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，所有文章均包含本声明。

件结构改进和制造工艺优化在 175℃ 结温 (Tj) 下导通电阻降低约 30%。罗姆表示，在各类电动汽车 (xEV) 用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中，其第 5 代 SiC MOSFET 有助于缩小单元体积，提高输出功率。此外芯片也非常适用于 AI 服务器电源和数据中心等工业设备的电源。罗姆计划从 2026 年 7 月起开始提供配有第 5 代 SiC MOSFET 的分立器件和模块的样品

当前文章：http://opo0o7g.cenqiaomu.cn/7el0/819jg0.html

发布时间：18:10:31